Chemistry, Physics and Technology of Surface, 2012, 3 (2), 178-183.

The Chemical-Dynamic Polishing of CdTe Surface by (NH4)2Cr2O7–HCl–Oxalic Acid Etching Compositions



P. S. Chukhnenko, Yu. B. Khalavka, V. G. Ivanits'ka, Z. F. Tomashik, V. M. Tomashik, I. B. Stratiychuk

Abstract


The nature of chemical dissolution of undoped and doped by the IV-A elements (Ge, Sn, Pb) of cadmium telluride in the (NH4)2Cr2O7–HCl–oxalic etching composition has been investigated. The projections of the equal etching rates of these semiconductors have been constructed, and the concentration regions of the polishing solutions have been determined. It has been shown that the dissolution of these materials is limited by the diffusion stages. Surface state after the etching has been investigated by the metallography and SEM. The composition of the near surface layers has been determined using energy dispersive X-ray spectroscopy.

Full Text:

PDF (Українська)

References


Перевощиков В.А. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников // Высокочистые вещества. – 1995. – № 2. – С. 5–29.

Фодчук І.М., Баловсяк С.В. Діагностика поверхні твердого тіла. – Чернівці: Рута, 2007. – 287 с.

Van de Ven J., Lourens A.F., Weyher J.L., Giling L.J. Chemtronics. 1986. 1. 19.

Weyher J.L., Fornari R., Görög T. Mat. Sci. Eng. 1994. 28. 488.

Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Любченко А.В., Фомин А.В. Жидкофазное травление полупроводниковых соединений типа АIIВVI и физико-химические процессы на границе раздела (обзор) // Oптоэлектроника и полупроводниковая тех-ника. – 1994. – Вып. 28. – C. 3–15.

Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Химическое травление полупроводниковых соединений типа АIIВVI // Неорган. материалы. – 1993. – T. 29, № 5. – C. 717–718.

Орлов Ю.Ф., Комисарчик М.Ш. Химическое растворение монокристаллов селенида и теллурида кадмия в растворах оксида хрома (VI) в галогенводородных кислотах HF и HCl // Журн. прикл. химии. – 1997. – Т. 70, № 1. – С. 32–35.

Черепин В.Г., Васильев М.А. Справочник. Методы и приборы для анализа поверхности материаллов. – Киев: Наукова думка, 1982. – 396 с.

Поп С.С., Шароді І.С. Фізична електроніка. – Львів: Євросвіт, 2001. – 250 с.

Данильченко С.М., Калініченко Т.Г., Колесник М.М. та ін. Структура та електрофізичні властивості тонких плівок з’єднань ZnTe і ZnS // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т. 9, № 2. – С. 343–349.

Khalavka Y., Sönnichsen C. Adv. Materials. 2008. 20. 588.

Новик Ф.С. Планирование эксперимента на симплексе при изучении металлургических систем – Москва: Металлургия, 1985. – 256 с.

Реми Г. Курс неорганической химии. – Москва: Мир, 1974. – Т. II. – 775 с.

Фейчук П.И., Феш Р.Н., Панчук О.Э., Щербак Л.П. Травление монокристаллов CdTe // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1981. – T. 17, № 6. – C. 1118–1119.




Copyright (©) 2012 P. S. Chukhnenko, Yu. B. Khalavka, V. G. Ivanits'ka, Z. F. Tomashik, V. M. Tomashik, I. B. Stratiychuk

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.